2SK1459LS
Numéro de produit du fabricant:

2SK1459LS

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2SK1459LS-DG

Description:

N-CHANNEL SILICON MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220FI(LS)

Inventaire:

1143 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12933614
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

2SK1459LS Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
350 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FI(LS)
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
152
Autres noms
2156-2SK1459LS
ONSONS2SK1459LS

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
harris-corporation

IRF626

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK1401A-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF9522

P-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76121P3

N-CHANNEL POWER MOSFET