Numéro de produit du fabricant:
2SJ665-DL-1EX
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SJ665-DL-1EX-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
Description détaillée:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventaire:
12834668
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SOUMETTRE
2SJ665-DL-1EX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
77mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4200 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
65W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
2SJ665
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2156-2SJ665-DL-1EX-ON
ONSONS2SJ665-DL-1EX
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQB34P10TM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
FQB34P10TM-DG
PRIX UNITAIRE
1.23
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
2N7000G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
ATP203-TL-H
MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
2SK3746-1E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3P-3L
