Numéro de produit du fabricant:
2SD1801S-E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SD1801S-E-DG
Description:
TRANS NPN 50V 2A TP
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 150MHz 800 mW Through Hole TP
Inventaire:
12836831
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SOUMETTRE
2SD1801S-E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 100mA, 2V
Puissance - Max
800 mW
Fréquence - Transition
150MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
TP
Numéro de produit de base
2SD1801
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
ONSONS2SD1801S-E
2SD1801S-EOS
2156-2SD1801S-E
2832-2SD1801S-E
2SD1801S-E-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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