Numéro de produit du fabricant:
2SD1347T-AE
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SD1347T-AE-DG
Description:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12941219
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SOUMETTRE
2SD1347T-AE Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 100mA, 2V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
150MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-MP
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
683
Autres noms
2156-2SD1347T-AE
ONSONS2SD1347T-AE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
HCPL4502SDM
OPTOCOUPLER DC-IN 1-CH TRANSISTO
2SC5310-6-TB-E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
BC859BMTF
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