Numéro de produit du fabricant:
2SD1145F-AE
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SD1145F-AE-DG
Description:
BIP NPN 5A 20V
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventaire:
16000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12933880
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Quantité
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mj9U
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SOUMETTRE
2SD1145F-AE Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
160 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
900 mW
Fréquence - Transition
120MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-MP
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,401
Autres noms
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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