Numéro de produit du fabricant:
2SC5706-P-E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SC5706-P-E-DG
Description:
TRANS NPN 100V 5A TP
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP
Inventaire:
12835898
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SOUMETTRE
2SC5706-P-E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
800 mW
Fréquence - Transition
400MHz
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
TP
Numéro de produit de base
2SC5706
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
ONSONS2SC5706-P-E
2156-2SC5706-P-E-ON
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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