Numéro de produit du fabricant:
2SC5415AE-TD-E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SC5415AE-TD-E-DG
Description:
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
Description détaillée:
RF Transistor NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW Surface Mount PCP
Inventaire:
12834792
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SOUMETTRE
2SC5415AE-TD-E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors RF Bipolaires
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
12V
Fréquence - Transition
6.7GHz
Facteur de bruit (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gagner
9dB
Puissance - Max
800mW
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
90 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-243AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
PCP
Numéro de produit de base
2SC5415
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2SC5415AE-TD-EOSTR
2SC5415AE-TD-E-DG
2832-2SC5415AE-TD-E
2SC5415AE-TD-EOSCT
2SC5415AE-TD-EOSDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2SC5065-Y(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
4925
NUMÉRO DE PIÈCE
2SC5065-Y(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
TYPE DE SUBSTITUT
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