2SC3646S-P-TD-E
Numéro de produit du fabricant:

2SC3646S-P-TD-E

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2SC3646S-P-TD-E-DG

Description:

TRANS NPN 100V 1A
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 500 mW Surface Mount PCP

Inventaire:

12832998
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SOUMETTRE

2SC3646S-P-TD-E Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 100mA, 5V
Puissance - Max
500 mW
Fréquence - Transition
120MHz
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-243AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
PCP
Numéro de produit de base
2SC3646

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
2156-2SC3646S-P-TD-E
ONSONS2SC3646S-P-TD-E

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
2SC3646S-TD-E
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
3175
NUMÉRO DE PIÈCE
2SC3646S-TD-E-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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