Numéro de produit du fabricant:
2SC3596E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SC3596E-DG
Description:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 300 mA 700MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventaire:
17014 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12931590
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SOUMETTRE
2SC3596E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
300 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 50mA, 10V
Puissance - Max
1.2 W
Fréquence - Transition
700MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-225AA, TO-126-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-126
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
437
Autres noms
ONSONS2SC3596E
2156-2SC3596E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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