Numéro de produit du fabricant:
2SC3070-AE
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SC3070-AE-DG
Description:
NPN SILICON TRANSISTOR
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1.2 A 250MHz 1 W Through Hole 3-MP
Inventaire:
51000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12968484
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SOUMETTRE
2SC3070-AE Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1.2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
300 @ 10mA, 5V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
250MHz
Température de fonctionnement
-
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-MP
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,401
Autres noms
2156-2SC3070-AE
ONSSNY2SC3070-AE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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