Numéro de produit du fabricant:
2SB507E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SB507E-DG
Description:
TRANSISTOR
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 8MHz 1.75 W Through Hole TO-220
Inventaire:
641 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12933215
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SOUMETTRE
2SB507E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
5mA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1A, 2V
Puissance - Max
1.75 W
Fréquence - Transition
8MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
641
Autres noms
ONSONS2SB507E
2156-2SB507E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PBSS4240X115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MPS2907RLRM
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SB1395T-AA
BIP PNP 3A 10V
