Numéro de produit du fabricant:
2SB1216T-E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SB1216T-E-DG
Description:
TRANS PNP 100V 4A TP
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventaire:
12837039
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SOUMETTRE
2SB1216T-E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
4 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 500mA, 5V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
130MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
TP
Numéro de produit de base
2SB1216
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2SB1216S-TL-E
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1071
NUMÉRO DE PIÈCE
2SB1216S-TL-E-DG
PRIX UNITAIRE
0.27
TYPE DE SUBSTITUT
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