Numéro de produit du fabricant:
2SB1215S-E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SB1215S-E-DG
Description:
TRANS PNP 100V 3A TP
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventaire:
12836457
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
2SB1215S-E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 500mA, 5V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
130MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
TP
Numéro de produit de base
2SB1215
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
2156-2SB1215S-E
ONSONS2SB1215S-E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
BC32716TA
TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
BD238S
TRANS PNP 80V 2A TO126-3
2SC4135S-E
TRANS NPN 100V 2A TP
