Numéro de produit du fabricant:
2SA1208T
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SA1208T-DG
Description:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 70 mA 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventaire:
13699 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12933851
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SOUMETTRE
2SA1208T Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
70 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 3mA, 30mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 10mA, 5V
Puissance - Max
900 mW
Fréquence - Transition
150MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-MP
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,268
Autres noms
2156-2SA1208T
ONSSNY2SA1208T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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