Numéro de produit du fabricant:
2N7000
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7000-DG
Description:
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Description détaillée:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
24412 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12836533
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SOUMETTRE
2N7000 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numéro de produit de base
2N7000
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
2N7000FS
2832-2N7000
2156-2N7000-OS
2N7000FS-NDR
FAIFSC2N7000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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