2N5551_J18Z
Numéro de produit du fabricant:

2N5551_J18Z

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N5551_J18Z-DG

Description:

TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Inventaire:

12835005
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SOUMETTRE

2N5551_J18Z Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
600 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
50nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Puissance - Max
625 mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Numéro de produit de base
2N5551

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
2N5551BU
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
404529
NUMÉRO DE PIÈCE
2N5551BU-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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