PUMH13/ZL115
Numéro de produit du fabricant:

PUMH13/ZL115

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PUMH13/ZL115-DG

Description:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP

Inventaire:

12936288
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SOUMETTRE

PUMH13/ZL115 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Fréquence - Transition
230MHz
Puissance - Max
300mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSSOP

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
6,662
Autres noms
2156-PUMH13/ZL115
NEXNXPPUMH13/ZL115

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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