Numéro de produit du fabricant:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
Fabricant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
Description:
NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Description détaillée:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996758
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SOUMETTRE
PSMN8R5-100ESFQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
97A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3181 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
183W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
437
Autres noms
2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
PMN70XPE,115
NEXPERIA PMN70XPE - SMALL SIGNAL
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FDMC6696 - P-CHANNEL POWERTRENCH
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2SK3486 - N-CHANNEL SILICON MOSF
