Numéro de produit du fabricant:
PSMN2R0-60ES,127
Product Overview
Fabricant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN2R0-60ES,127-DG
Description:
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
Description détaillée:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
7334 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12972984
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PSMN2R0-60ES,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9997 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
338W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
PSMN2R0
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
214
Autres noms
2156-PSMN2R0-60ES,127-954
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6407_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PSMN1R5-50YLHX
PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
