PMXB350UPEZ
Numéro de produit du fabricant:

PMXB350UPEZ

Product Overview

Fabricant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PMXB350UPEZ-DG

Description:

NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
Description détaillée:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3

Inventaire:

648247 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967826
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SOUMETTRE

PMXB350UPEZ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
116 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010D-3
Emballage / Caisse
3-XDFN Exposed Pad

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,515
Autres noms
2156-PMXB350UPEZ-954

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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