Numéro de produit du fabricant:
PMN40UPEA115
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMN40UPEA115-DG
Description:
P-CHANNEL MOSFET
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4.7A (Ta) 500mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
12938273
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SOUMETTRE
PMN40UPEA115 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1820 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,110
Autres noms
NEXNEXPMN40UPEA115
2156-PMN40UPEA115
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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