Numéro de produit du fabricant:
PMN16XNE115
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMN16XNE115-DG
Description:
NOW NEXPERIA PMN16XNE SMALL SIGN
Description détaillée:
N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
12948026
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SOUMETTRE
PMN16XNE115 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
0.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1136 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,699
Autres noms
2156-PMN16XNE115
NEXNXPPMN16XNE115
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFS034N15MC
MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
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