Numéro de produit du fabricant:
PMDXB1200UPE147
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMDXB1200UPE147-DG
Description:
NOW NEXPERIA PMDXB1200UPE SMALL
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 410mA (Ta) 285mW (Ta), 4.03W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Inventaire:
12947180
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PMDXB1200UPE147 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel
Fonctionnalité FET
Standard
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
410mA (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
0.95V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
43.2pF @ 15V
Puissance - Max
285mW (Ta), 4.03W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-XFDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010B-6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,852
Autres noms
NEXNXPPMDXB1200UPE147
2156-PMDXB1200UPE147
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMA1025P
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
FPF1C2P5BF07A
MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
FDMA1028NZ
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET