Numéro de produit du fabricant:
PHW80NQ10T,127
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PHW80NQ10T,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
12822281
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SOUMETTRE
PHW80NQ10T,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4720 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
263W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
PHW80
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
PHW80NQ10T
PHW80NQ10T-DG
934055695127
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4310ZPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1902
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4310ZPBF-DG
PRIX UNITAIRE
2.10
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH110N10P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH110N10P-DG
PRIX UNITAIRE
3.80
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ110N10P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ110N10P-DG
PRIX UNITAIRE
3.43
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
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