Numéro de produit du fabricant:
PH6030L,115
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PH6030L,115-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 30 V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventaire:
12811996
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SOUMETTRE
PH6030L,115 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
76.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2260 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
PH60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
PH6030L T/R-DG
PH6030L T/R
934061643115
954-PH6030L115
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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