PEMD19,115
Numéro de produit du fabricant:

PEMD19,115

Product Overview

Fabricant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PEMD19,115-DG

Description:

NEXPERIA PEMD19 - SMALL SIGNAL B
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

Inventaire:

12000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996706
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SOUMETTRE

PEMD19,115 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
22kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
300mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-666

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
6,772
Autres noms
2156-PEMD19,115-954

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
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