Numéro de produit du fabricant:
PDTD114EQA147
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PDTD114EQA147-DG
Description:
TRANS PREBIAS
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventaire:
12968602
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SOUMETTRE
PDTD114EQA147 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
PDTD114EQA
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
500 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
210 MHz
Puissance - Max
940 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
3-XDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010D-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,219
Autres noms
2156-PDTD114EQA147
NEXNXPPDTD114EQA147
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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