Numéro de produit du fabricant:
PDTC144ES,126
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PDTC144ES,126-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 500 mW Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12822758
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SOUMETTRE
PDTC144ES,126 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Puissance - Max
500 mW
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Numéro de produit de base
PDTC144
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-DG
934047410126
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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