PDTC143EEF,115
Numéro de produit du fabricant:

PDTC143EEF,115

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PDTC143EEF,115-DG

Description:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC89
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SC-89

Inventaire:

13071953
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SOUMETTRE

PDTC143EEF,115 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Fabricant
NXP USA Inc.
Série
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
4.7 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
4.7 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Puissance - Max
250 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-89, SOT-490
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-89
Numéro de produit de base
PDTC143

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
568-2159-2
568-2159-1
PDTC143EEF115
934057874115
PDTC143EEF T/R

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
RN1101,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
5124
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1101,LF(CT-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC143EET1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
302955
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC143EET1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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