Numéro de produit du fabricant:
PDTA114YS,126
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PDTA114YS,126-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 500 mW Through Hole TO-92-3
Inventaire:
13072276
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SOUMETTRE
PDTA114YS,126 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Fabricant
NXP USA Inc.
Série
-
Emballage
Tape & Box (TB)
État de la pièce
Obsolete
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Puissance - Max
500 mW
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Numéro de produit de base
PDTA114
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
PDTA114YS AMO
PDTA114YS AMO-ND
934057576126
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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