Numéro de produit du fabricant:
PBSS8110AS,126
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PBSS8110AS,126-DG
Description:
TRANS NPN 100V 1A TO92-3
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 100MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12871706
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SOUMETTRE
PBSS8110AS,126 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
150 @ 250mA, 10V
Puissance - Max
830 mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Numéro de produit de base
PBSS8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
PBSS8110AS AMO-DG
934057764126
PBSS8110AS AMO
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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