PBSS5112PAP,115
Numéro de produit du fabricant:

PBSS5112PAP,115

Product Overview

Fabricant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PBSS5112PAP,115-DG

Description:

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Inventaire:

34680 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967784
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SOUMETTRE

PBSS5112PAP,115 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
480mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
190 @ 100mA, 2V
Puissance - Max
510mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-HUSON (2x2)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
PBSS5112PAP,115 Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,888
Autres noms
2156-PBSS5112PAP,115-954

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN

intersil

CA3083R4339

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN