PBSS4230PANP,115
Numéro de produit du fabricant:

PBSS4230PANP,115

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PBSS4230PANP,115-DG

Description:

NOW NEXPERIA PBSS4230PANP - SMAL
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Inventaire:

21000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948042
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SOUMETTRE

PBSS4230PANP,115 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
290mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 1A, 2V
Puissance - Max
510mW
Fréquence - Transition
120MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-UFDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-HUSON (2x2)
Numéro de produit de base
PBSS4230

Fiche technique & Documents

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,764
Autres noms
NEXNXPPBSS4230PANP,115
2156-PBSS4230PANP,115

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

BC856AS-7

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363

diodes

BC847PN-7-F

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363

diodes

BC847BVN-7

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563

diodes

BC856ASQ-7-F

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36