Numéro de produit du fabricant:
PBSS4160PANPS115
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PBSS4160PANPS115-DG
Description:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 175MHz, 125MHz 370mW Surface Mount DFN2020D-6
Inventaire:
12932967
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SOUMETTRE
PBSS4160PANPS115 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
290 @ 100mA, 2V
Puissance - Max
370mW
Fréquence - Transition
175MHz, 125MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN2020D-6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,112
Autres noms
NEXNXPPBSS4160PANPS115
2156-PBSS4160PANPS115
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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