NX7002BKM315
Numéro de produit du fabricant:

NX7002BKM315

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NX7002BKM315-DG

Description:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount DFN1006-3

Inventaire:

12937594
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SOUMETTRE

NX7002BKM315 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
23.6 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1006-3
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
15,000
Autres noms
2156-NX7002BKM315
NEXNXPNX7002BKM315

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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