Numéro de produit du fabricant:
BUK9E2R3-40E,127
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK9E2R3-40E,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
13066408
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SOUMETTRE
BUK9E2R3-40E,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
87.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13160 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
293W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
BUK9
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
BUK9E2R340E127
934066413127
568-9871-5
NEXNXPBUK9E2R3-40E,127
2156-BUK9E2R3-40E127-NX
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI120N04S402AKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
500
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI120N04S402AKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.29
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
AUIRFSL8407
FABRICANT
International Rectifier
QUANTITÉ DISPONIBLE
1288
NUMÉRO DE PIÈCE
AUIRFSL8407-DG
PRIX UNITAIRE
4.67
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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