Numéro de produit du fabricant:
BUK962R6-40E,118
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK962R6-40E,118-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
640 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946393
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SOUMETTRE
BUK962R6-40E,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80.6 nC @ 32 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10285 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
263W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
233
Autres noms
NEXNXPBUK962R6-40E,118
2156-BUK962R6-40E,118
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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