Numéro de produit du fabricant:
BUK7E4R6-60E,127
Product Overview
Fabricant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK7E4R6-60E,127-DG
Description:
NEXPERIA BUK7E4 - TRANSISTOR >30
Description détaillée:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
2920 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967948
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BUK7E4R6-60E,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6230 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
234W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
435
Autres noms
2156-BUK7E4R6-60E,127-954
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMC8884
9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
ISC0603NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
IPT60R102G7E8236XTMA1
HIGH POWER_NEW
