BUK7E2R7-30B,127
Numéro de produit du fabricant:

BUK7E2R7-30B,127

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BUK7E2R7-30B,127-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventaire:

13066308
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SOUMETTRE

BUK7E2R7-30B,127 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6212 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
BUK7

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
BUK7E2R7-30B,127-ND
568-6629-5
2156-BUK7E2R7-30B127
568-6629-ND
BUK7E2R730B127
NEXNXPBUK7E2R7-30B,127
934058024127
BUK7E2R7-30B-ND
568-6629
BUK7E2R7-30B

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IPI80N04S403AKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
498
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI80N04S403AKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.99
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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