BUK769R6-80E,118
Numéro de produit du fabricant:

BUK769R6-80E,118

Product Overview

Fabricant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BUK769R6-80E,118-DG

Description:

NEXPERIA BUK769R6-80E - 75A, 80V
Description détaillée:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

486 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967892
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SOUMETTRE

BUK769R6-80E,118 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
59.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4682 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
182W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Informations supplémentaires

Forfait standard
304
Autres noms
2156-BUK769R6-80E,118-954

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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