Numéro de produit du fabricant:
BUK652R7-30C,127
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK652R7-30C,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12867376
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SOUMETTRE
BUK652R7-30C,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6960 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
204W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
BUK65
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
954-BUK652R7-30C127
NEXNXPBUK652R7-30C,127
568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-DG
BUK652R730C127
2156-BUK652R7-30C127-NX
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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