Numéro de produit du fabricant:
BSN254,126
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSN254,126-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 310mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12810110
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BSN254,126 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
120 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
BSN2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
BSN254 AMO
934004930126
BSN254 AMO-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRLR4343TRR
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
BUK7608-55,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BUK96150-55A,118
MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK
