Numéro de produit du fabricant:
BC847QAPN147
Product Overview
Fabricant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BC847QAPN147-DG
Description:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Inventaire:
12935522
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SOUMETTRE
BC847QAPN147 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
15nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 5V
Puissance - Max
350mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-XFDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010B-6
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
9,812
Autres noms
NEXNEXBC847QAPN147
2156-BC847QAPN147
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
ULN2004ANS
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
SMBT3906SE6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
UPA1476H-AZ
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
