BC635,112
Numéro de produit du fabricant:

BC635,112

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BC635,112-DG

Description:

TRANS NPN 45V 1A TO92-3
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1 A 180MHz 830 mW Through Hole TO-92-3

Inventaire:

12823640
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SOUMETTRE

BC635,112 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
45 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
63 @ 150mA, 2V
Puissance - Max
830 mW
Fréquence - Transition
180MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Numéro de produit de base
BC63

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
BC635P
BC635P-DG
933221920112

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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