NTE2960
Numéro de produit du fabricant:

NTE2960

Product Overview

Fabricant:

NTE Electronics, Inc

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTE2960-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
Description détaillée:
Mosfet Array 900V 7A 40W Through Hole TO-220 Full Pack

Inventaire:

100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12925113
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

NTE2960 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
900V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1380pF @ 25V
Puissance - Max
40W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Numéro de produit de base
NTE29

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
2368-NTE2960

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

ECH8659-TL-W

MOSFET 2N-CH 30V 7A SOT28

onsemi

EFC6602R-A-TR

MOSFET 2N-CH EFCP2718

onsemi

NDS9953A

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM14N956L,EFF

MOSFET 2N-CH 12V 20A TCSPED