Numéro de produit du fabricant:
NTE2399
Product Overview
Fabricant:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTE2399-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
81 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12922838
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SOUMETTRE
NTE2399 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
980 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2368-NTE2399
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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