Numéro de produit du fabricant:
IRF730
Product Overview
Fabricant:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF730-DG
Description:
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220
Description détaillée:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
591 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945249
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SOUMETTRE
IRF730 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
400 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2368-IRF730
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
9999.99.9999
Certification DIGI
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