Numéro de produit du fabricant:
PSMN8R5-100PSQ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN8R5-100PSQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
1371 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12830556
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SOUMETTRE
PSMN8R5-100PSQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5512 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
263W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
PSMN8R5
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
934067376127
1727-1053
568-10160-5-DG
PSMN8R5100PSQ
568-10160-5
5202-PSMN8R5-100PSQTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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