Numéro de produit du fabricant:
PSMN7R8-120ESQ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN7R8-120ESQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
12829270
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SOUMETTRE
PSMN7R8-120ESQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9473 pF @ 60 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
349W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
PSMN7R8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI076N12N3GAKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
498
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI076N12N3GAKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.44
TYPE DE SUBSTITUT
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