Numéro de produit du fabricant:
PSMN4R8-100PSEQ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN4R8-100PSEQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
5000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12828391
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PSMN4R8-100PSEQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14400 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
405W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
PSMN4R8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
568-12856-DG
PSMN4R8-100PSEQ-DG
1727-2471
5202-PSMN4R8-100PSEQTR
568-12856
934068633127
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PSMN011-100YSFX
MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
PSMN034-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
BUK9216-100EJ
MOSFET N-CH 100V DPAK